TSMC prevede di uscire dal business GAN, Navitas Semiconductor si gira per forzare il semiconduttore

TSMC ha recentemente annunciato che farà eliminare la sua attività di nitruro di gallio (GAN), una decisione che sarà implementata nei prossimi due anni e influenzerà i suoi principali clienti, Navitas Semiconductor.Navitas ha dichiarato che sposterà i suoi requisiti di fonderia per i componenti 650 V da TSMC a PowerChip entro luglio 2027 per garantire la continuità della produzione.

La decisione di uscita di TSMC si basa su una valutazione approfondita della domanda di mercato e mira a concentrarsi sulle aree aziendali con un maggiore potenziale di crescita.La società sottolinea che lavorerà a stretto contatto con i propri clienti per garantire una transizione regolare durante il periodo di transizione e che non influirà sui suoi obiettivi finanziari dichiarati.

TSMC entra nel mercato del nitruro di gallio dal 2010 e ha commissionato un wafer FAB da 6 pollici per la produzione correlata nel 2014. Con i cambiamenti della domanda di mercato, TSMC ha deciso di spostare il focus sulla produzione in tecnologie di imballaggio avanzate, un aggiustamento strategico che riflette anche la sua anticipazione delle tendenze future del mercato.

La cooperazione tra Nano Semiconductor e TSMC è iniziata nel 2011 e, con la crescita della domanda, gli investimenti del wafer di Nano in TSMC sono aumentati di anno in anno, persino espandendo a un Fab da 8 pollici nel 2021. Ora, con l'uscita di TSMC, Nano Semiconductor si rivolge al semiconduttore di energia, facendo semiconduttore al potere.Le azioni di Power Semiconductor sono aumentate rapidamente dopo l'annuncio della notizia, dimostrando che il mercato è rialzista sulle sue prospettive future.

Il business del nitruro di gallio di TSMC ha una capacità mensile da circa 3.000 a 4.000 wafer da 6 pollici e la domanda di Nanosemiconductor rappresenta oltre la metà.Con l'uscita di TSMC, Lismc avrà l'opportunità di colmare questo divario di mercato e di ampliare ulteriormente la sua presenza nel campo del nitruro di gallio.