Rispetto al FET lineare Optimos ™ di generazione precedente, il FET lineare Optimos ™ migliora le prestazioni SOA ad alte temperature, riduce la corrente di perdite di gate ed espande la gamma di opzioni di imballaggio disponibili.Questi miglioramenti consentono a ciascun controller di parallelo a più MOSFET, abbassando i costi della fattura dei materiali (BOM) e fornendo una maggiore flessibilità per i progetti espandendo il portafoglio di prodotti.
Il FET lineare da 100 V Optimos ™ è disponibile in un pacchetto altissimo (Toll).Rispetto allo standard Optimos ™ 5, che ha RDS simile (ON), questo dispositivo offre una SOA 12 volte superiore a 54 V in 10 ms e una SOA più alta 3,5 volte a 100 µs.Quest'ultimo miglioramento è particolarmente importante per la protezione della batteria nei sistemi di gestione della batteria (BMS) in condizioni di corto circuito.Garantire un'adeguata distribuzione di corrente tra MOSFET paralleli è fondamentale per la progettazione e l'affidabilità del sistema durante i cortocircuiti.Optimos ™ 5 Linear FET 2 migliora la condivisione attuale ottimizzando le sue caratteristiche di trasferimento.Con la sua ampia SOA e una migliore divisione corrente, il numero di componenti nei progetti, dettati dai requisiti di corrente di corto circuito, può essere ridotto fino al 60%.
Ciò si traduce in alta densità di potenza, alta efficienza e protezione della batteria altamente affidabile, rendendolo ideale per applicazioni in utensili elettrici, e-bike, motociclette elettriche, carrelli elevatori, alimentatori non interruplibili (UP) e veicoli elettrici puri.