Codice del produttore
APT75GT120JRDQ3
Produttore
Microchip Technology
Descrizione dettagliata
L'APT75GT120JRDQ3 è un modulo transistor bipolare a gate isolato (IGBT) della serie Thunderbolt IGBT® di Microchip Technology. È un dispositivo IGBT singolo con una tensione collector-emitter massima di 1200 V e una corrente collector massima di 97 A.
Caratteristiche principali
Tipo IGBT NPT
Configurazione singolo IGBT
Tensione di breakdown collector-emitter di 1200 V
Corrente collector massima di 97 A
Potenza massima di 480 W
Tensione di saturazione collector-emitter massima di 3,7 V a 15 V di gate e 75 A di corrente collector
Corrente di cutoff collector massima di 200 μA
Capacità d'ingresso di 5,1 nF a 25 V di tensione collector-emitter
Entrata standard
No termistore NTC
Intervallo di temperatura di esercizio da -55°C a 150°C
Packaging da montare sul chassis
Vantaggi principali
Elevate capacità di gestione di tensione e corrente
Basso voltaje di saturazione collector-emitter per un'efficiente conversione di potenza
Prestazioni affidabili su ampio intervallo di temperature
Packaging compatto e facile da montare sul chassis
Confezionamento
Confezione in tubo
Packaging miniBLOC SOT-227-4
Packaging ISOTOP® per dispositivi di fornitura
Durata di vita / Periodo di utilità
L'APT75GT120JRDQ3 è un prodotto attivo. Sono disponibili modelli equivalenti o alternativi. Si consiglia di contattare il nostro team di vendita tramite il sito web per ulteriori informazioni.
Principali settori di utilizzo
Conversione e controllo di potenza
Azionamenti di motori industriali
Attrezzature per saldatura
Gruppi di continuità (UPS)
Altre apparecchiature elettroniche ad alta potenza
Scheda tecnica
Il datasheet più autorevole per l'APT75GT120JRDQ3 è disponibile sul nostro sito web. Si consiglia ai clienti di scaricarlo.
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