Italia
| Modello di prodotti: | 2SK3798(STA4,Q,M) |
|---|---|
| Costruttore / Marca: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
| Parte della descrizione: | POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S |
| Specifiche: | None |
| Stato di RoHs: | |
| Metodi di pagamento: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Modo di spedizione: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Condividere: |
Ship From: Hong Kong
| Quantità | Prezzo unitario |
|---|---|
| 1+ | $1.363 |
| 200+ | $0.5441 |
| 500+ | $0.5258 |
| 1000+ | $0.5174 |
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| Proprietà del prodotto | Valori degli attributi |
|---|---|
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220SIS |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.5Ohm @ 2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack |
| Pacchetto | Tube |
| Proprietà del prodotto | Valori degli attributi |
|---|---|
| temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 900 V |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |




MOSFET N-CH 40V 70A TO220S
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2SK3798(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and Storage |
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