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Tempo: 12/06/2026
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L' IR2110 è un IC driver di gate ad alta tensione e alta velocità progettato per controllare MOSFET di potenza e IGBT. Ha canali di uscita indipendenti per alta e bassa tensione, permettendo di guidare dispositivi di commutazione con un controllo di gate preciso e affidabile.
L'IR2110 utilizza una tecnologia CMOS robusta, supporta ingressi logici standard CMOS e LSTTL, e include uno stadio di buffer ad alta corrente impulso per migliorare le prestazioni di commutazione. Il suo canale flottante ad alta tensione può operare fino a 500 V, rendendolo adatto per progetti di circuiti ad alta tensione esigenti.
Se siete interessati ad acquistare l'IR2110, non esitate a contattarci per prezzi e disponibilità.
| Parametro |
Specifica |
| Tipo di driver |
Driver MOSFET e IGBT ad alta tensione e alta velocità |
| Numero di canali |
Driver indipendenti per alta e bassa tensione |
| Tensione del canale flottante |
Fino a 500 V |
| Tecnologia di processo |
HVIC e CMOS immune al latch-up |
| Tipo di ingresso logico |
Compatibile con CMOS e LSTTL |
| Progettazione del canale flottante |
Progettato per operazione bootstrap |
| Intervallo di alimentazione del driver (VCC) |
10 V a 20 V |
| Intervallo VDD |
5 V a 20 V |
| Corrente massima di uscita (sorgente) |
2 A tipica |
| Corrente massima di uscita (scarico) |
2 A tipica |
| Blocco da sottotensione (UVLO) |
Disponibile su entrambi i canali |
| Immunità a dV/dt |
Alta immunità al rumore |
| Tensione transitoria negativa |
Tollerante |
| Tipo di ingresso |
Schmitt trigger CMOS con pull-down |
| Funzione di spegnimento |
Logica di spegnimento attivata da bordo ciclico |
| Matching dei ritardi |
Ritardo di propagazione abbinato tra i canali |
| Relazione di uscita |
Uscite in Fase con Ingressi |
| Offset di Terra Logico e di Potenza |
±5 V |
| Operazione ad Alta Velocità |
Ottimizzato per Applicazioni di Commutazione Veloce |
| Pacchetti Disponibili |
DIP a 14 Pin, SOIC a 16 Pin |

| Pin No. |
Nome del Pin |
Tipo |
Funzione |
| 1 |
LO |
Uscita |
Uscita del driver del gate del lato basso. Fornisce il segnale di pilotaggio del gate per il MOSFET o IGBT del lato basso. |
| 2 |
COM |
Terra |
Percorso di ritorno del lato basso e riferimento di terra di potenza per il stadio di uscita del driver. |
| 3 |
VCC |
Alimentazione |
Tensione di alimentazione per lo stadio di uscita del driver del gate del lato basso. Tipicamente 10 V a 20 V. |
| 4 |
NC |
Senza Connessione |
Connessione interna non utilizzata. Lasciare scollegato, a meno che non specificato dal produttore. |
| 5 |
VS |
Ritorno Galleggiante |
Riferimento di ritorno per il driver del lato alto. Collegato alla sorgente del MOSFET del lato alto o all'emettitore dell'IGBT del lato alto. |
| 6 |
VB |
Alimentazione Galleggiante |
Ingresso dell'alimentazione galleggiante per il driver del lato alto. Di solito collegato a un condensatore di bootstrap. |
| 7 |
HO |
Uscita |
Uscita del driver del gate del lato alto. Aziona il gate del MOSFET del lato alto o IGBT. |
| 8 |
VDD |
Alimentazione Logica |
Tensione di alimentazione del circuito logico. Supporta le fasi di ingresso logico e i circuiti di controllo interni. |
| 9 |
HIN |
Ingresso |
Ingresso logico che controlla l'uscita del lato alto (HO). Un ingresso alto accende il driver del lato alto. |
| 10 |
SD |
Ingresso |
Ingresso di controllo di spegnimento. Utilizzato per disabilitare entrambe le uscite del driver per la protezione da guasti o il controllo di sistema. |
| 11 |
LIN |
Ingresso |
Ingresso logico che controlla l'uscita del lato basso (LO). Un ingresso alto accende il driver del lato basso. |
| 12 |
VSS |
Terra Logica |
Riferimento di terra per l'alimentazione logica e gli ingressi di controllo. |
| 13 |
NC |
Senza Connessione |
Connessione interna non utilizzata. Lasciare scollegato a meno che non specificato dal produttore. |
| 14 |
NC |
Senza Connessione |
Connessione interna non utilizzata. Lasciare scollegato a meno che non specificato dal produttore. |
L'IR2110 contiene sezioni separate del driver del gate del lato alto e del lato basso progettate per controllare MOSFET di potenza o IGBT in applicazioni di commutazione. All'interno del dispositivo, i segnali di ingresso passano attraverso circuiti Schmitt-trigger che migliorano l'immunità al rumore e assicurano un funzionamento affidabile in ambienti elettricamente rumorosi. I circuiti logici interni elaborano i segnali di controllo e gestiscono il funzionamento di entrambi i canali del driver.

Una parte fondamentale dell'architettura è il circuito di spostamento di livello ad alta tensione. Questo blocco trasferisce informazioni di controllo dalla sezione logica a bassa tensione alla sezione del driver del lato alto galleggiante, consentendo al dispositivo di operare in applicazioni in cui il nodo di commutazione si muove su un ampio intervallo di tensione. Il driver galleggiante è alimentato attraverso i terminali VB e VS, consentendo un corretto controllo del gate del dispositivo di commutazione superiore.
L'IR2110 incorpora anche diverse funzioni di protezione e temporizzazione. Il blocco di protezione da sottotensione (UVLO) monitora continuamente le tensioni di alimentazione del driver e disabilita le uscite se la tensione scende al di sotto di un livello operativo sicuro. Il filtraggio degli impulsi aiuta a rifiutare impulsi di rumore indesiderati, mentre la funzione di spegnimento fornisce un metodo conveniente per disabilitare entrambi i canali del driver durante condizioni di guasto o eventi di protezione del sistema.
L'IR2110 è ampiamente utilizzato in circuiti di commutazione a ponte metà, ponte intero e ad alta potenza. Un'applicazione comune consiste in due MOSFET N-channel collegati in una configurazione a ponte metà, consentendo un controllo efficiente della potenza fornita a un carico. Questa configurazione è frequentemente trovata in azionamenti per motori, inverter DC-AC, alimentatori a commutazione, sistemi UPS e apparecchiature di riscaldamento a induzione.

Di solito si usa un diodo di bootstrap e un condensatore per generare l'alimentazione galleggiante necessaria per il driver del lato alto. Durante il funzionamento, il condensatore immagazzina energia e fornisce la tensione necessaria per attivare il MOSFET superiore. Questo approccio elimina la necessità di una sorgente di alimentazione isolata separata per il driver del gate del lato alto, riducendo la complessità e il costo del circuito.
Componenti esterni aggiuntivi sono comunemente inclusi per migliorare le prestazioni. I resistori di gate aiutano a controllare la velocità di commutazione e riducono il ringing di tensione, mentre i resistori di pull-down assicurano che i transistor di potenza rimangano in uno stato di off definito quando non è presente alcun segnale di controllo. Questi componenti contribuiscono a un'operazione di commutazione stabile e affidabile.
I progetti di successo con l'IR2110 iniziano con un corretto layout della PCB e un adeguato decoupling dell'alimentazione. I condensatori di bypass dovrebbero essere posizionati vicino ai pin VCC-COM e VDD-VSS per ridurre le cadute di tensione durante la commutazione rapida. Le tracce di pilotaggio del gate dovrebbero essere corte e dirette per ridurre l'induttanza parassita, mentre le sezioni ad alta e bassa tensione dovrebbero avere un adeguato spaziamento per sicurezza e stabilità del segnale.

La selezione del resistore di gate è altrettanto importante perché controlla la velocità di commutazione del MOSFET o dell'IGBT. Un resistore di gate più piccolo fornisce una commutazione più veloce ma può aumentare il ringing e le interferenze elettromagnetiche. Un resistore di gate più grande rallenta il fronte di commutazione e può ridurre il rumore, ma potrebbe aumentare le perdite di commutazione.
Il circuito deve includere un adeguato controllo del dead-time tra i dispositivi ad alta e bassa tensione. Questo previene l'accensione simultanea di entrambi gli switch, il che può causare correnti di shoot-through e danneggiare il modulo di potenza.
Per una maggiore affidabilità, dovresti applicare tecniche di riduzione del rumore come percorsi di massa brevi, connessione COM solida, adeguato decoupling e instradamento attento dei segnali HIN e LIN lontano dai nodi di commutazione rumorosi. Le raccomandazioni di protezione includono un corretto utilizzo dell'undervoltage lockout, l'aggiunta di resistori di gate adatti, il controllo della dimensione del condensatore bootstrap e la protezione dei MOSFET o IGBT da sovracorrenti, sovratensioni e surriscaldamento.
| Caratteristica |
IR2110 |
IR2101 |
IR2104 |
| Tipo di Driver |
Driver ad Alta e Bassa Tensione |
Driver ad Alta e Bassa Tensione |
Driver ad Alta e Bassa Tensione con Dead Time Interno |
| Tensione di Alimentazione Float per Alta Tensione |
Fino a 500 V |
Fino a 600 V |
Fino a 600 V |
| Canali di Uscita |
Uscite Indipendenti ad Alta e Bassa Tensione |
Uscite Indipendenti ad Alta e Bassa Tensione |
Uscite Complementari ad Alta e Bassa Tensione |
| Corrente di Uscita di Picco (Sorgente) |
2 A |
130 mA |
210 mA |
| Corrente di Uscita di Picco (Scarico) |
2 A |
270 mA |
360 mA |
| Tensione di Alimentazione Logica (VDD) |
5 V a 20 V |
Non Necessaria |
Non Necessaria |
| Tensione di Alimentazione del Driver (VCC) |
10 V a 20 V |
10 V a 20 V |
10 V a 20 V |
| Pin di Ingresso Logico |
HIN, LIN, SD |
HIN, LIN |
IN, SD |
| Pin di Spegnimento |
Sì |
No |
Sì |
| Undervoltage Lockout (UVLO) |
Alta e Bassa Tensione |
Alta e Bassa Tensione |
Alta e Bassa Tensione |
| Livello Shifter |
Sì |
Sì |
Sì |
| Operazione Bootstrap |
Sì |
Sì |
Sì |
| Ritardo di Propagazione Abbinato |
Sì |
No |
No |
| Dead Time Interno |
No |
No |
Sì |
| Controllo del Dead-Time |
Esterno |
Esterno |
Interno |
| Controllo Indipendente di Entrambi gli Uscite |
Sì |
Sì |
No |
| Configurazione Logica di Uscita |
Indipendente |
Indipendente |
Complementare |
| Immunità al Rumore |
Alta |
Alta |
Alta |
| Compatibilità MOSFET |
MOSFET a Canale N |
MOSFET a Canale N |
MOSFET a Canale N |
| Compatibilità IGBT |
Sì |
Capacità di Guida Limitata |
Capacità di Guida Limitata |
| Capacità di Frequenza di Commutazione |
Alta |
Moderata |
Moderata |
| Forza di Guida del Gate |
Alta |
Bassa |
Media |
| Componenti Esterni Richiesti |
Moderata |
Bassa |
Bassa |
| Complessità del Design |
Moderata |
Semplice |
Molto Semplice |
| Opzioni di Confezionamento |
DIP, SOIC |
DIP, SOIC |
DIP, SOIC |
L'IR2110 è progettato per l'attivazione ad alta velocità e può essere utilizzato in applicazioni come inverter, azionamenti di motori e alimentatori a commutazione. Prima di selezionare il dispositivo, è necessario valutare la frequenza di commutazione prevista e garantire che i MOSFET o gli IGBT possano essere pilotati in modo efficiente a quella velocità. Frequenze di commutazione più elevate possono migliorare le prestazioni del sistema e ridurre le dimensioni dei componenti magnetici, ma aumentano anche le perdite di commutazione e la generazione di calore.
L'IR2110 può pilotare sia MOSFET N-channel che IGBT, ma i requisiti di pilotaggio del gate di questi dispositivi possono differire significativamente. I MOSFET sono generalmente preferiti per l'operazione ad alta frequenza a causa della loro maggiore velocità di commutazione, mentre gli IGBT sono spesso utilizzati in applicazioni ad alta tensione e alta corrente. Il dispositivo di potenza selezionato dovrebbe essere compatibile con la tensione di pilotaggio del gate dell'IR2110 e la capacità di corrente in uscita.
L'IR2110 supporta livelli di logica CMOS e LSTTL standard, rendendolo compatibile con molti microcontrollori, DSP e controllori PWM. È necessario verificare che la tensione di uscita logica del circuito di controllo soddisfi i requisiti di ingresso del driver per garantire una commutazione affidabile e un'adeguata riconoscibilità del segnale.
Tensioni di alimentazione adeguate sono essenziali per un funzionamento affidabile. L'IR2110 richiede tipicamente una tensione di alimentazione per il pilotaggio del gate compresa tra 10 V e 20 V, mentre il driver del lato alto utilizza un circuito bootstrap per generare la sua alimentazione flottante. Dovrebbero essere inclusi condensatori di bypass adeguati e un condensatore bootstrap di dimensioni corrette per mantenere un funzionamento stabile durante la commutazione.
L'IR2110 utilizza un'architettura di shifting di livello piuttosto che isolamento galvanico. Per molti progetti a ponte metà e ponte intero, questo approccio è sufficiente e aiuta a ridurre la complessità del circuito. Tuttavia, le applicazioni che richiedono isolamento di sicurezza, alta immunità al rumore di modo comune, o sistemi di controllo isolati possono richiedere un driver per gate isolato anziché l'IR2110. Valutare i requisiti di isolamento all'inizio del processo di progettazione aiuta a garantire la conformità con i requisiti di sicurezza e prestazione del sistema.
• IR2113
• IRS2110
• IRS2113
• IR2101
• IR2104
• IRS2184
• FAN7392
• UCC27714

L'IR2110 di Infineon Technologies combina l'attivazione del gate lato alto e lato basso, una forte capacità di corrente in uscita, funzionamento bootstrap e utili funzionalità di protezione in un singolo IC. Queste caratteristiche aiutano a semplificare la progettazione del circuito di potenza, garantendo al contempo un controllo affidabile di MOSFET e IGBT in applicazioni di commutazione ad alta tensione. Con i suoi canali di driver indipendenti, un'architettura di livello-shifting e supporto per la commutazione ad alta velocità, l'IR2110 rimane una scelta popolare per gli ingegneri che progettano inverter, azionamenti di motori, alimentatori e altri sistemi di potenza elettronica.
Il condensatore bootstrap dovrebbe immagazzinare abbastanza carica per mantenere il MOSFET lato alto completamente enhanced durante l'intero ciclo di commutazione. Il valore dipende dalla carica del gate del MOSFET, dalla frequenza di commutazione, dalle correnti di dispersione e dal margine di tensione desiderato.
Sì. L'IR2110 può pilotare più MOSFET collegati in parallelo, a condizione che la carica totale del gate rimanga entro la capacità del driver e che vengano utilizzate resistenze di gate appropriate per ciascun MOSFET.
Una causa comune è un condensatore bootstrap caricato in modo improprio. La selezione errata del diodo bootstrap, un ciclo di lavoro insufficiente o errori di cablaggio possono anche impedire al driver del lato alto di funzionare correttamente.
Senza un tempo morto sufficiente, entrambi gli interruttori potrebbero condurre simultaneamente, causando corrente di attraversamento. Questo può portare a un surriscaldamento eccessivo, ridotta efficienza e possibile danneggiamento dei MOSFET e del circuito driver.
In alcuni casi, sì, ma la compatibilità a livello logico dovrebbe essere verificata. Se il segnale logico non è sufficiente per un funzionamento affidabile, potrebbe essere necessario un circuito di shifting di livello.
Resistenze del gate più piccole aumentano la velocità di commutazione ma possono creare più ringing ed EMI. Resistenze più grandi riducono il rumore e lo stress di commutazione ma possono aumentare le perdite di commutazione.
Il limite pratico dipende dalla carica del gate del MOSFET, dal layout del PCB, dai valori delle resistenze del gate e dal design del power stage. Molti progetti funzionano con successo da decine di kilohertz a diverse centinaia di kilohertz.
Un driver di gate isolato è spesso preferito quando l'isolamento di sicurezza, un'alta immunità al rumore comune o basi di controllo e alimentazione separate sono richiesti dall'applicazione.
CAP TANT 4.7UF 20% 6.3V 1411
IC RTC CLK/CALENDAR I2C 18SOX
IC PWR SWTCH N-CH 1:2/1:1 16SOIC
RES SMD 22K OHM 1% 1/16W 0402
FIXED IND 4.7UH 1A 180 MOHM SMD
MOSFET P-CH 60V 20A 8HSON
TMS320DA255GHH TI
W29C020P-12 WIN
MICRONAS QFP
INTEL PLCC
CONN TERM BLK END BRCKT RAIL GRY
BROADCOM BGA
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